场效应管的测量方法图解(场效应管的三个极图解)

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场效应管的测量方法图解(场效应管的三个极图解)

1、1、场效应管的检测方法：把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数，而且数值在300--800左右，2、如果在最终测量结果中测的只有一次有读数，并且为0时须万用表短接场效应管的引脚，3、重新测量一次，若又测得一组为300--800左右读数时此管也为好管。

2、4、将万用表开到二极管档，用万用表的两个表笔量测D、S极和G、S极，看看两极之间的读数是不是很小，如果这个值在50以下，则可以判断为这个效应管已经被击穿场效应管（Field Effect Transistor）又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

3、由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。

4、主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。

5、场效应管具有输入电阻高（10 7～10 15Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和 功率晶体管的强大竞争者。

6、与 双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

7、（1）场效应管是电压控制 器件，它通过V GS(栅源电压)来控制I D（漏极电流）；（2）场效应管的控制输入端 电流极小，因此它的 输入电阻（10 7～10 12Ω）很大。

8、（3）它是利用多数 载流子导电，因此它的 温度稳定性较好；（4）它组成的 放大电路的电压放大 系数要小于三极管组成放大电路的 电压放大系数；（5）场效应管的抗 辐射能力强；（6）由于它不存在杂乱 运动的电子扩散引起的 散粒噪声，所以噪声低。

9、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

10、更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

11、在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的 电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。

12、从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。

13、将这种状态称为夹断。

14、这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

15、在过渡层由于没有 电子、空穴的自由移动，在 理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。

16、但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。

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