常用场效应管参数及代换 场效应管代换表

75n75场效应管参数代换

3205代换。75N75是N沟道增强型功率场状态特性稳定、快速的效应晶体管开关速度，低热阻，常用于电信和计算机应用。参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装，可以用3205代换。

常用场效应管参数及代换 场效应管代换表

FQPF5N60C场效应管可以直接使用5N60代换，或者使用FS5TM-14代换。

FQPF5N60C场效应管的主要参数为：Vdss=600V，Id=4.5A，Pd=33W，RDS(on)= 2.5Ω；5N60的主要参数为：Vdss=600V，Id=4.5A，Pd=100W，RDS(on)= 2.4Ω；FS5TM-14的主要参数为：Vdss=700V，Id=5A，Pd=35W。

FQPF5N60C源~漏最大允许通过电流5安，耐压600伏。只要电流5安以上耐压600伏或以上的场效应管就可以代替它。

1、从你提供的型号可以知道，它的最大电流为5A，最高耐压为600V。

2、代换时选用的管子与这个值相同或大于就可以了。

3、如FQA5N90\FQPF8N60C等。

5N60 就是5安600V的管子，只要耐压和电流大于或等于这个值的都可以啊，

30N60是一种N沟道MOS场效应管。

其参数和代换如下：最大漏极电压：Vdss=600V，最大漏极电流：Id=30A，最大功率：Pd=290W，静态电阻：Rds（on）=0.26Ω，门源电压：Vgs=±30V。

如果需要进行代换，可以根据具体的需求和替换条件选择合适的替代型号。常用的代换型号有IRFP460、IRFP460N、IRF3710、IRF840等。

k20t60参数及代换

题主想问的是k20t60场效应管的参数和k20t60场效应管的代换吗？

1、k20t60场效应管的参数：这个是IGBT单管，电流20A，电600VTO-247封装。

2、k20t60场效应管的代换：可以用K2645代换，电流20A，电压600∨。

根据场效应管相应的一些参数，首先是一些硬性指标，例如DS耐压，和DS所能承受的最大电流，GS耐压。其次考虑Rds，频率，开通关断时间等参数

场效应管在彩电中的代换原则

您好：

①、这ⅠRF3315属于：N一M0SET功率场效应管其参数如：/耐压：150Ⅴ//电流：27A//功率：136W//

可直接用：ⅠRF3415型场效应管代换。

②、关于13N50T场效应管参数：/耐压：500Ⅴ//

/电流：13.4A//功率：190W// 向这个管可直接用

FQA13N50C代换。

HA210N06可以用DG210N06代换，两种场效应管参数完全一样。

HA210N06 是逆变器专用大场管 ，主要参数是210A/ 60V。

也可以用TFP290N08代换，主要参数是 290A 80V ，TO247 封装，也是逆变器常用大功率场效应管。

也可以用更大参数的MXP8835AL 代换，主要参数是350A/80V 。

IRFP4368 也是大功率逆变器MOS管 ，主要参数是350A/75V。

参数：900V/5A/45W硅N沟道场效应管，能用k2717代换。

K2717：900V，5A，45W，k3565：900V，5A，45W，两者参数完全一致，可以代换，K3565参数：MOS场效应管，电流5A，电压900V。

场效应管是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它的外型也是一个三极管，因此又称场效应三极管。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。