哪位大神知道用四探针电阻仪测量AZO透明导电薄膜的电阻率的原理,有图解越详细越好,急用,不甚感谢
如附图,将四根间距相等的探针压在透明导电薄膜样品上,使之接触良好;
四探针测电阻率公式推导_四探针测电阻率公式推导图
在探针1,和探针4之间通入直流电流I(mA);测量探针2,和探针3 之间的电压降△V(mV);
通过以下公式可以计算出透明导电薄膜的薄膜电阻率(方块电阻)R□:
R□= 4.532×△V/I (单位:Ω∕□)
(供参考)
电阻率的计算公式为:p=RS/l是怎么推导出来的?
可以这样理解:
两个电阻R串联会变大,成为2R,意味着长度增加1倍,电阻值增加1倍,电阻与长度成正比。
两个电阻R并联,1/2R,横截面积增加1倍,电阻值变为1/2,电阻与截面积成反比。
因此R=pl/S.
p=RS/l
我这个说法只是从你学习的角度去对照一下,你可以这样认识,但是在理论角度,我觉得应该是电阻率公式本身更本质一些。往更本质上看就是输运理论的电导问题了。
R=pl/s
推导就可以得出
p=RS/l,你一定是公式推导错了
电阻
r单位为欧姆
长度
l单位为厘米
截面面积
a单位为平方厘米
电阻率
ρ单位为欧姆·厘米
电池片的电阻率用四探针怎么测
先在电池片上找任意两点A,B,接通后电势为0,即在同一等势线上,同理再找出另外两个等势点C,D,一般直线AB,CD可以视作等势线,测出AB与CD之间的电势,电流,距离,以及电池片的截面积,根据
R=U/I=ρL/S
就能求得
求电阻率的推导公式'和推导过程
严格来讲:电阻率不全是推导的,可以叫一种定义.
1、电阻率:某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下(20℃时)导线的电阻,叫做这种材料的电阻率.即 ρ=RS/L ,
计算导体电阻时:R=ρ(L/S)
2、 在温度一定的情况下,有公式R=ρL/s 其中的ρ就是电阻率,L为材料的长度,s为面积.可以看出,材料的电阻大小正比于材料的长度,而反比于其面积.
3、电阻率的定义:ρ=Rs/L.电阻率ρ不仅和导体的材料有关,还和导体的温度有关.
4、在温度变化不大的范围内,:几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化,
即ρ=ρo(1+at).
式中t是摄氏温度,ρo是O℃时的电阻率,a是电阻率温度系数.
四探针法测电阻率
四探针测试技术,简称为四探针法,是测量半导体电阻率常用的一种方法。
四探针测试技术,是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上,由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I,然后测量出中间两根探针之间的电压V,就可以求出半导体的电阻率。
对于厚度为W(远小于长和宽)的薄半导体片,得到电阻率为ρ=ηW(V/I),式中η是修正系数。特别,对于直径比探针间距大得多的薄半导体圆片,得到电阻率为ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm],其中W用cm作单位。
电阻率的计算公式是怎样的
电阻R=ρL\S
其中ρ为电阻率
L为电阻(一般为导线)的长度
S为截面积
测出电阻,再根据公式,求出电阻率,这个电阻率与电阻的材料有关
四探针法选择样品不同位置对测试结果的影响
计算不同:
内标法:通过内标物与对照品的浓度、峰高/面积计算校正因子,然后通过校正因子、待测物峰高/面积、内标物浓度、峰高/面积,计算待测物浓度;需要与待测物性质非常相似的内标物。外标法:通过对照品浓度、峰高/面积和待测物的峰高/面积,计算待测物浓度。
二、含义不同:
内标法是色谱分析中一种比较准确的定量方法,尤其在没有标准物对照时,此方法更显其优越性。
外标一点法按梯度添加一定量的标准品(对照品)于空白溶剂中制成对照样品,与未知试样平行地进行样品处理并检测。从而推算出未知试样中被测组分浓度的定量方法。
内标法的特点
测定的结果较为准确,由于是通过测量内标物及被测组分的峰面积的相对值来进行计算的,因而在一定程度上消除了操作条件等的变化所引起的误。操作过程中样品和内标是混合在一起注入色谱柱,因此只要混合溶液中被测组分与内标的量的比值恒定,上样体积的变化不会影响影响定量结果。内标法抵消了上样体积,乃至流动相、检测器的影响。
以上内容参考:百度百科-内标法
回答于 2021-06-26
1、掌握四探针测量半导体材料电阻率和薄层电阻的测量原理及方 法;
2、 针对不同几何形状的样品,掌握其修正方法;
3、 测试给定的三块不同规格样品数据,使用 EXCE软件对样品的
数据进行计算和处理,如电阻率、方块电阻、标准、不均匀度, 画出电阻率波动图
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【实验原理】
1.半导体材料的电阻率
在半无穷大样品上的点电流源, 若样品的电阻率p均匀,引入点电
流源的探针其电流强度为I,则所产生的电力线具有球面的对称性, 即等
位面为一系列以点电流为中心的半球面,如图 1所示。在以r为半径的半
球面上,电流密度j的分布是均匀的:
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