a79tf贴片场效应管参数(场效应管贴片a09t代还)

比起普通晶体管的音质是好很多，但如果与起集成块功放管相比，集成块功放的制作容易，外围元件少，条件没场效应管功放的苛刻，大功率场效应管的型号很多不胜枚举，可以根据电路的实际参数要求进行选择。

a79tf贴片场效应管参数(场效应管贴片a09t代还)

部分场效应管型号 用途 参数

型号 材料 管脚 用途 参数

3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524

2E3C NMOS GDS 开 关 600V11A150W0.36

2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W

2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5

2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15

2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3

2SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.035

2SJ172 PMOS GDS 激 励 60V10A40W73/275nS0.18

2SJ175 PMOS GDS 激 励 60V10A25W73/275nS0.18

2SJ177 PMOS GDS 激 励 60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n

参数符号

Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容

Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流

ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）

IG---栅极电流（直流） IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流

IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流

Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益

ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感（外电路参数） LD---漏极电感

Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻

Rg---栅极外接电阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数） R(th)jc---结壳热阻 R(th)ja---结环热阻 PD---漏极耗散功率 PDM---漏极最大允许耗散功率

PIN--输入功率 POUT---输出功率 PPK---脉冲功率峰值（外电路参数） to(on)---开通延迟时间 td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间

ton---开通时间 toff---关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj---结温 Tjm---最大允许结温

Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tstg---贮成温度 VDS---漏源电压（直流） VGS---栅源电压（直流） VGSF--正向栅源电压（直流）

VGSR---反向栅源电压（直流） VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数） Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS(th)---开启电压或阀电压 V（BR）DSS---漏源击穿电压

V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压（直流） Vsu---源衬底电压（直流） VDu---漏衬底电压（直流）

VGu---栅衬底电压（直流） Zo---驱动源内阻 η---漏极效率（射频功率管） Vn---噪声电压 aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数

场效应管A2DE和A09T的参数有哪些？

场效应管 A2DE N沟道，市场上印有A2DE的场效应管有两种：\x0d\x0a SI2312 SOT-23-3L封装，参数：20V 5A\x0d\x0aAO3402 SOT-23封装 参数：30V 4A\x0d\x0a \x0d\x0aA09T： AO3400 SOT-23封装 参数：30V 5.8A\x0d\x0a如果用A09T代换A2DE完全可以。

VDS等于30V，ID等于4.2A，RDSON小于55mΩ，VGS等于10V。A19T采用先进的沟槽技术，高密度，低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置。其参数为VDS等于30V，ID等于4.2A，RDSON小于55mΩ，VGS等于10V。其采用的是sot233l环保材质的封装形式。

VDS=30V。a29t贴片参数是VDS=30V。a29t是N沟道MOS场效应三极管，采用先进的沟槽技术，高密度、低导通电阻，是一个非常有效和可靠的MOS管装置，最大功率1.4W。

场效应管型号和参数

这管子电流已经超级大了，在换更大的恐怕有些困难呢。用AUIRF3805L-7P，55V240A的一只替代两只，但成本和采购可能会有问题。IRF3205-0.78美金，AUIRF3805L-7P-2.25美金；