场效应管的kn参数 场效应管参数手册大全

10N60 ：N沟道MOSFET功率，10A 600V。

场效应管的kn参数 场效应管参数手册大全

10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管。

13N50是耐压500V，电流13A的N沟道场效应管。

只要你的实际应用电压不超过400V，就可以代换。电流不用考虑了。

场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

1. 场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。

2. 场效应管cs8n60参数：8n60，7.5A，600V，RDS=1.2欧。10n60参数：10A，600V，RDS=0.73欧。

一：场效应管的主要参数

(1)直流参数

饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压

大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS

开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS

(2)交流参数

低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

Cc1215 是一款 N 型场效应管，它的主要参数有：

1. 最大漏极电压（VDSmax）：这是管子能够承受的最大漏极电压。对于 CC1215，它的 VDSmax 为 60 伏。

2. 最大漏极电流（IDmax）：这是管子能够承受的最大漏极电流。对于 CC1215，它的 IDmax 为 0.5 安。

3. 静态漏极电阻（RDSon）：这是管子导通时的漏极电阻，也称为导通电阻。对于 CC1215，它的 RDSon 为 15 欧姆。

4. 压控增益（gm）：这是管子的放大能力，即漏极电流随栅极电压变化的比率。对于 CC1215，它的 gm 为 5 毫西门子。

5. 输入电容（Ciss）：这是管子输入端的总电容。对于 CC1215，它的 Ciss 为 50 皮法。

这些参数对于设计电路和选型场效应管都非常重要，需要特别注意。

mos管跨导参数kn单位

MOS管主要参数如下：

1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流过栅极的栅流表示-MOS管的RGS能够很容易地超越1010Ω。

3. 栅源击穿电压BVGS-在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开端剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

4. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0（加强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面：

（1）漏极左近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿-有些MOS管中，其沟道长度较短，不时增加VDS会使漏区的耗尽层不断扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直承受耗尽层电场的吸收，抵达漏区，产生大的ID

5. 低频跨导gm-在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏极电流的控制才能-是表征MOS管放大才能的一个重要参数-普通在非常之几至几mA/V的范围内

6. 极间电容-三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS-CGS和CGD约为1～3pF-CDS约在0.1～1pF之间

k793场效应管参数

K793是一个通用型的N沟道场效应管，其主要参数如下：

1、额定电压：Vds=-55V。

2、最大电流：Id=-6A。

3、静态漏极电流：Idss(Min/Max)=10mA/30mA。

4、漏极截止电压：Vgs(off)=2V(Max)。

5、典型栅极极限电压：±20V。

6、典型输入电容：Ciss=240pF。

7、典型输出电容：Coss=80pF。

VDSS----最大-耐压

VDGR----栅漏耐压

VGS(th)------控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压)

VGSM---控制栅最大电压

ID---------漏极最大电流

tr----------最大工作频率(或叫响应速度)

RDS(on)--D/S导通电阻

使用者注意以上参数便行。

场效应管是如何分类的。