碳化硅的单晶导热系数 碳化硅单晶体

小源给大家谈谈碳化硅的单晶导热系数，以及碳化硅单晶体应用的知识点，希望对你所遇到的问题有所帮助。

碳化硅的单晶导热系数 碳化硅单晶体

1、碳化硅的物理性能1、碳化硅的热导率及线膨胀系数。

2、作为一种耐火材料，碳化砖具有优越的抗热震性能。

3、这一点具体表现在它具有高的热导率(导热系数)和较低的线膨胀系数。

4、一般工程计算上取碳化硅的导热系数为6.28～9.63W.M-1.K-1。

5、此值约为刚玉导热系数的4倍。

6、在25～1400℃范围内，碳化硅的平均线膨胀系数可取4.4×l0-6K-1;而刚玉的线膨胀系数为(7～8)×l0-6K-1。

7、2、碳化硅的导电性能。

8、碳化硅是一种半导体，其导电性能随晶体中引入杂质的种类和数量的不同而变化，电阻率在10-2-1012Ω·cm之间。

9、其中对碳化硅导电性影响较大的杂质是铝、氮和硼，含铝较多的碳化硅导电性显著加大。

10、碳化硅的导电性随电场强度的加大而迅速提高，且具有非线性变化的特点。

11、碳化硅的这一特性被用于制作避雷器阀片。

12、3、碳化硅的电阻率。

13、碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。

14、碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。

15、碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值，继续升高温度，导电率又会下降。

本文到这结束，希望上面文章对大家有所帮助。