反向饱和电流 pn结反向饱和电流

为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关

饱和时，反向电压增大，饱和电流不会增大，电压大下去就击穿了

反向饱和电流 pn结反向饱和电流

温度对二极管的工作状态影响很大。温度升高，有利于少数载流子的漂移运动。反向饱和电流会增大，但还是和电压没什么大关系。

这是我的理解。

二极管正向导通时的正向电压降大致等于多少？反向饱和电流值为多少？

0.6V左右；微安级，试验测量结果在20- 300微安之间。

硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。

二极管材质/工艺：硅管压降z> 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。

二极管的工作电流：同一个二极管，当前电流越大，压降越大。

压降虽然有不同，但是范围在( 零点几~1点几 ) V 范围；反向饱和电流Is 大概是uA级别，根据二极管种类不同，有异。

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开 。

二极管是早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。

穿透电流与反向饱和电流的关系说明和解释

反向饱和电流通常用来描述发射极开路时，集电极与基极之间的反向漏电流，即Icbo，实际上就是集电结的反向漏电流。

穿透电流是基极开路，集电极与发射极之间的反向漏电流，即Iceo，也称集电极-发射极反向饱和电流。该电流由集电区穿过基区到达发射区，因此也称穿透电流。由于发射结此时处于正向状态，而晶体管的电流放大系数为β，所以集电极-发射极反向饱和电流并不是单纯的集电结反向饱和电流，而是Iceo=(1+β)×Icbo。

pn结反向饱和电流到底是怎么形成的，它的大小跟哪些

跟Vd有关是因为随着反向电压的增大，势垒抬高，耗尽层变宽，所以被反向抽走的电子和空穴就会增加，所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定。但是对于硅pn结，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A,一般都很小，即使有所增大也不会达到质的变化。所以可称为饱和，饱和的含义就是再怎么增大电压，电流增大的不多的意思。

当环境温度升高时，二极管的正向电压将（ ），反向饱和电流将（ ）

我倒~~~

二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。一般在室温附近，温度每升高1℃，其正向压降减小2～2.5mV；温度每升高10℃，反向电流大约增大1倍左右。

所以，答案选择：B、A

二极管的反向电流是什么意思

反向电流是指二极管在规定的温度和反向电压作用下，流过二极管的反向电流。

反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推。

在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

扩展资料：

晶体管的反向电流包括：ICBO和ICEO。

1、ICBO

ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。

2、ICEO

ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

参考资料来源：

1.二极管是一种具有单向导电的二端器件。

2.外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

3.外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

1.二极管是一种具有单向导电的二端器件。

2.外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

3.外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

pn结反向饱和电流到底是怎么形成的,它的大小跟哪些因素有关?

跟Vd有关是因为随着反向电压的增大，势垒抬高，耗尽层变宽，所以被反向抽走的电子和空穴就会增加，所以反向饱和电流会随着反向电压的增大稍稍增大一定。但是对于硅pn结，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A,一般都很小，即使有所增大也不会达到质的变化。所以可称为饱和，饱和的含义就是再怎么增大电压，电流增大的不多的意思。

当然和温度有关，因为所有的半导体的性质都和温度有关，这个就不必说了，呵呵。

具体的公式和详细的解释可以参考《半导体物理》和《晶体管原理》等书。

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以反向电流是很小的，