异质结电池片工艺流程(异质结电池生产)

捷佳伟创：积极布局异质结相关设备，客户覆盖主流厂商

4月份开始新能源板块掀起了一波上涨大潮，一众个股纷纷创新高，捷佳伟创也不遑多让，年初至今涨幅超过177%，近一年涨幅超过2倍。近国盛证券发布了公司的深度研报，本文以读者视角来了解下捷佳伟创这家公司。

异质结电池片工艺流程(异质结电池生产)

捷佳伟创成立于2007年6月，2018年8月在创业板上市，公司位于深圳市坪山区，现有员工2143人，公司董事长余仲与副总经理左国军、董事梁美珍为公司控股股东和实际控制人，三人为一致行动人。公司主营业务为晶体硅太阳能电池片生产设备的研发、制造和销售，产品包括单/多晶制绒设备、管式扩散氧化退火炉、酸抛光及碱抛光设备、管式等离子体沉积炉、智能自动化设备、全自动丝网印刷设备等六大产品系列。公司不仅为客户提供晶硅电池片生产设备，还提供晶硅电池"交钥匙工程"系统解决方案、晶体硅电池智能制造车间系统以及晶体硅电池丝网印刷线，目前客户覆盖晶科能源、天合光能、隆基股份等国内外绝大多数电池厂商，市占率超过50%：

近几年受行业快速发展，公司业绩呈高增长，2019年营业收入与归母净利润分别为25.27亿元、3.82亿元，同比增长69.3%和24.7%，业绩增长明显。2020年上半年公司通过分批复工、协助供应商恢复生产等措施，确保公司2月份开始有序复工生产，设备验收确认收入大幅增加，上半年公司实现营收18.93亿元，同比增长55.4%；实现归母净利润2.49亿元，同比增长8.11%。同时公司还持续加强新设备研发与技术创新，不断加大市场开拓力度，巩固公司市场领先地位。

2020年9月29日捷佳伟创发布《2020年度向特定对象发行A股股票预案》，向特定对象发行募集资金总额不超过约25亿元，用于超高效太阳能电池装备产业化项目和先进半导体装备研发项目，项目稳步推进后将新增年产25GW Perc+高效新型电池湿法设备，新增25GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD产能，并新增年产50套HJT电池镀膜设备。同时公司加大半导体设备投入，专注于Cassette-Less刻蚀设备和单晶圆清洗设备技术改进与研发、立式炉管低压CVD设备、立式炉管低压ALD设备及立式炉管HK ALO/HFO2工艺设备技术的改进与研发：

2019年以来各大硅片厂商相继推出大硅片产品，隆基股份推出166尺寸硅片，中环股份推出210尺寸硅片。2020年以来隆基股份、晶澳和晶科能源组成182联盟并推行182尺寸硅片，光伏硅片尺寸逐步从过去的主流M2、G1硅片向更大尺寸发展。

从光伏的生产工艺来说，硅片后端的电池片和组件环节的生产流程是按片进行生产，单片硅片功率的增加，有助于降低单位的生产成本。从电池片产线来看，每条产线的产能由产线出片速率和每片功率所决定。随着硅片面积的增加，产线上单品功率得到明显提升，从而有助于摊销掉和硅片面积无关的其他固定成本，从而降低非硅成本。因此硅片大型化推动电池片和组件端降低成本。

在2020年SNEC展会上各家组件厂商在基于大尺寸电池片封装的技术上相继推出600W、700W以上高功率组件，电池片大型化趋势明显。

大尺寸电池片渗透率提升催生电池片产线升级需求并催生电池片迎来新一轮扩产高峰，甚至或将加速部分老产线淘汰退出市场。目前存量产线进行小幅更改后可以兼容166硅片，但对182和210硅片而言改造幅度较大，因此新投产电池片产线将选择向下兼容的方式适配182和210硅片。PV InfoLink预计2020年182尺寸和210尺寸电池片产能分别为33GW和18GW，预计到2021年182尺寸和210尺寸硅片产能有望达到79GW和67GW，其中新增产能分别为46GW和49GW：

在技术创新上电池片同样正在完成从P型向N型跨越。2018年以来随着PERC电池片技术推出，单晶硅片转换效率优势更加明显，电池片厂商主动向单晶PERC产线转移，单晶逐步完成对多晶的替代。

相比于P型，N型单晶硅主要在单晶中掺磷，N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中杂质对少子电子的捕获能力，相同电阻率的N型硅片的少子寿命比P型硅片高出1-2个数量级，达到毫秒级。

从技术路线发展来看，P型电池片转换效率存在瓶颈，P型向N型转换势在必行。目前N型电池片技术主要包括N-Pert、TopCon、异质结和IBC四大技术方向，机理与半导体接近，因此随着电池制备技术升级，光伏电池工艺逐步向半导体工艺升级：

PERC技术是在常规的BSF电池基础上进行背面钝化层和激光开槽，目前单晶PERC电池片早转换效率为24.06%，但考虑到量产环节中的损耗，PERC的平均量产效率在22.5%左右，传统PERC转换效率提升空间存在瓶颈。

根据《后PERC时代高效晶硅电池量产技术路线探讨》，除了工艺上的优化，还可通过优化制绒技术研发、电流一维传输机制、背面TopCon加载、选择性透过技术结构加载和优化金属化-细栅线技术等对PERC电池结构进行升级。ISFH研究表明采用钝化接触电池结构如TopCon可使得此类电池极限效率提升至28.2%-28.7%，高于异质结的27.5%和PERC的24.5%，非常接近晶体硅太阳能电池极限效率29.43%。目前捷佳伟创积极布局PERC+技术，相关技术钝化设备研发已进入工艺验证阶段。

TopCon生产流程分为9步，分别为硅片制绒清洗、扩散制结、湿法刻蚀、隧道结制备、离子注入、退火和湿化学清洗、ALD沉积氧化铝、PECVD 沉积氮化硅膜、丝网印刷等工序。其中大部分设备可以和PERC+SE产线共用，只需要额外增加硼扩散、LPCVD沉积（隧道结制备环节）、离子注入（或者扩散装备）和去绕镀清洗环节设备，便可以实现设备的升级，目前龙头厂商PERC产线均留有一定设备空间，有助于产线改造升级。

根据TaiyangNews，捷佳伟创LPCVD设备已经完成测试，设备与海外厂商相比主要异不大，随着设备国产化推进，TopCon产线投资成本有望大幅下降：

异质结通常以N型晶体硅做衬底，宽带隙的非晶硅做发射极，具备双面对称结构。电池正表面空穴通过高掺杂P型非晶硅构成空穴传输层；电池背面电子通过高掺杂N型非晶硅构成电子传输层，光生载流子在吸收材料中产生并只能从电池一个表看流出，实现两者分离：

异质结电池片具有转换效率高、生产环节简单、将本空间大、发电增益等优势，目前日本松下和美国Solarcity公司已经布局，产能均达到1GW左右。国内钧石产能达到600MW。在制造工艺中TCO沉积在异质结电池沉积工艺后半部分，通过沉积TCO膜作为减反层和横向运载流子至电极的导电层，一般TCO沉积在PVD设备中通过溅射方式完成。捷佳伟创选择的是反应等离子RPD技术，和双面进行薄膜沉积的PVD路线相比采用自下而上的单侧沉积技术，关键设备是等离子枪：

2020年9月捷佳伟创完成新一代HJT关键量产设备RPD5500A的装配调试，新型RPD设备具有离子轰击小、穿透率高等特点，在同等条件下采用新型RPD镀膜的HJT技术装备和工艺方案，相比现有常规HJT装备和工艺，高出至少0.6%的效率增益。如果配合新一代靶材技术和工艺，会带来更高的效率增益、更低的电子共振吸收、更好的长波透光率和更的导电性。此外公司二合一PAR5500设备即将推出，有望大幅降低设备成本。

topcon与hjt电池的区别

HJT电池又称异质结电池，是一种特殊的PN结，由非晶硅和晶体硅组成。它是一种N型电池，其中非晶硅薄膜沉积在晶体硅上。

HIT(具有本征薄膜的异质结)电池由日本三洋公司于1990年首先研制成功。因为HIT已被三洋注册为商标，所以也被称为HJT、HDT或SHJ。

HIT电池实验室效率达到26%以上，现有主流厂商平均量产效率达到23%。在效率上，确实比PERC电池高了一个台阶。HJT电池工艺简单。

目前市场主流电池工艺PERC需要8-10道工序，而HJT工艺只有4道工序，分别是清洗制绒、非晶硅膜沉积、TCO膜制备和丝网印刷。其中，清洗、制绒和丝网印刷都是传统的硅电池工艺，而HJT的独特工艺用于非晶硅薄膜沉积和TCO薄膜沉积。

异质结太阳能电池毕设谁会

现在应该已经毕业了吧！

（一）如果条件允许可以联系有条件的单位跟着师兄们实习一下，方可大致了解异质结电池的基本工艺，也算是真正达到了大学教育后阶段的目的。

（二）如果仅仅构思一篇相关的论文，应该有相对完整的逻辑框架，还是得自己多调研文献。

（三）异质结电池在超高效率突破上具有极大潜质，目前日本松下（前Sanyo）已宣布研发效率达到25.6%，从转换效率上来说是极其具有力的，目前国内外好多公司跃跃欲试。异质结太阳电池技术基于薄膜、传统晶体硅电池技术之上，属于薄膜和晶体硅的结合。作为毕业设计肯定要先了解该电池相比传统结构有何优势？1.低温度系数：亦即在高温下仍然表现出了强劲的发电能力，而传统电池在高温下效率衰退严重，一般为0.45%/度左右，而新型异质结工艺仅为~0.3%/度左右2. 超高的开路电压特征：由于异质结独特的能带特征，使得该电池具有较大的内建势、带阶（导带、价带能量）等，在优良晶体硅表面钝化的情况下，可实现>740mV的开压，实属！

……算了吧，就说到这，如果有兴趣可以站内联系，互相学习下，以下建议论文结构可以这样设计：

课题背景（太阳电池）

太阳电池基础（基本器件理论，相关薄膜基础等）

异质结电池关键技术

实验优化及成果……

hit电池是什么意思

本教程操作环境：windows10系统、DELL G3电脑。

hit电池是什么意思HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）

HIT，中文名称是太阳能电池，外文名称是Heterojunction with intrinsic Thinlayer，即采用HIT结构的硅太阳能电池，开路电压729mV。

采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。

扩展知识

HIT电池，俗称异质结电池，中文名称晶体硅异质结太阳能电池，该技术工艺是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的核心竞争力，是高转换效率硅基太阳能电池的热门朝向中的一种。

相比于传统式晶硅技术工艺，考虑到非晶硅薄膜的构建，硅异质结太阳能电池的晶硅衬底前后表面进行了优良的钝化处理，以至于其表面钝化处理日趋健全完善。

异质结HIT电池的优点

1．应用范围广泛：大量利用在太阳能板、城市公共交通、通讯设备、电力安装工程、国防科技或是在远洋航行、国内航空不同经济领域，HIT电池都具有了不能缺失的重要作用。

2．效率提升潜力高：HIT电池采用的N型硅片具有较高的少子寿命，非晶硅钝化处理的对应结构同样也可以取得较低的表面复合型速率，以至于硅异质结太阳能电池的开路电压远高于传统式单晶硅太阳能电池，其效率潜力比当前利用P型硅片的PERC电池大至更是高达2％

3．成本费用低、生产工艺简单不复杂：HIT电池融合了薄膜太阳能电池超低温的生产制造优点，规避了传统式的高温工艺。HIT工艺流程相比简单化，所有生产工艺流程只需四个部分就可以实现

4．高稳定性，高效率：HIT电池的光照稳定性好，异质结中的非晶硅薄膜并没有发现Staebler－Wronski效应，也就代表着电池转换效率不会因光照而出现衰退的迹象。

5．正反两面电池：HIT电池是非常好的正反两面电池，正面和背面基本上无色调距，且双面率（指电池背面效率与正面效率之比）可达到九十％以上，极高可以达到九十八％，背面发电的核心竞争力明显。

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太阳能电池的结构工作原理和制造技术

近几年来，受世界太阳能电池发展“热潮”的影响，我国太阳能电池产业发展空前高涨，本文收集了太阳能电池的一些有关技术，以供读者参考。

（一）太阳能电池的发展历史：

太阳能电池是产生光生伏打效应（简称光伏效应）的半导体器件。因此，太阳能电池又称为光伏电池，太阳能电池产业又称为光伏产业。

1954年世界第一块实用化太阳能电池在美国贝尔实验室问世，幷首先应用于空间技术。当时太阳能电池的转换效率为8％。1973年世界爆发石油危机，从此之后，人们普遍对于太阳能电池关注，近10几年来，随着世界能源短缺和环境污染等问题日趋严重，太阳能电池的清洁性、安全性、长寿命，免维护以及资源可再生性等优点更加显现。一些发达制定了一系列鼓舞光伏发电的优惠政策，幷实施庞大的光伏工程，为太阳能电池产业创造了良好的发展机遇和巨大的市场空间，太阳能电池产业进入了高速发展时期，幷带动了上游多晶硅材料业和下游太阳能电池设备业的发展。在1997－2006年的10年中，世界光伏产业扩大了20倍，今后10年世界光伏产业仍以每年30％以上的增长速度发展。

世界太阳能电池的发展历史如表1所示：

表1 世界太阳能电池发展的主要节点

年份 重要节点

1954 美国贝尔实验室发明单晶硅太阳能电池，效率为6％

1955 第一个光伏航标灯问世，美国RCA发明Ga As太阳能电池

1958 太阳能电池首次装备于美国先锋1号卫星，转换效率为8％。

1959 第一个单晶硅太阳能电池问世。

1960 太阳能电池首次实现并网运行。

1974 突破反射绒面技术，硅太阳能电池效率达到18％。

1975 非晶硅及带硅太阳能电池问世

1978 美国建成100KW光伏电站

1980 单晶硅太阳能电池效率达到20％，多晶硅为14.5％，Ga As为22.5％

1986 美国建成6.5KW光伏电站

1990 德国提出“2000光伏屋顶”

1995 高效聚光Ga As太阳能电池问世，效率达32％。

1997 美国提出“百万太阳能屋顶

日本提出“新阳光”

1998 单晶硅太阳能电池效率达到24.7％，荷兰提出“百万光伏屋顶”

2000 世界太阳能电池总产量达287MW，欧洲2010年生产60亿瓦光伏电池。

（二）、太阳能电池的种类

（三）、硅太阳能电池的结构及工作原理

硅太阳能电池的外形及基本结构如图1。基本材料为P型单晶硅，厚度为0.3—0.5mm左右。上表面为N+型区，构成一个PN＋结。顶区表面有栅状金属电极，硅片背面为金属底电极。上下电极分别与N＋区和P区形成欧姆接触，整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。

当入发射光照在电池表面时，光子穿过减反射膜进入硅中，能量大于硅禁带宽度的光子在N+区，PN＋结空间电荷区和P区中激发出光生电子——空穴对。各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区，就对发光电压作出贡献。光生电子留于N＋区，光生空穴留于P区，在PN＋结的两侧形成正负电荷的积累，产生光生电压，此为光生伏打效应。当光伏电池两端接一负载后，光电池就从P区经负载流至N＋区，负载中就有功率输出。

太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光（或紫外光）敏感，约占总光源电流的5－10％（随N＋区厚度而变），PN＋结空间电荷的光生电流对可见光敏感，约占5 ％左右。电池基体区域产生的光电流对红外光敏感，占80－90％，是光生电流的主要组成部分。

（四）、太阳能电池的制造技术

晶体硅太阳能电池的制造工艺流程如图2。提高太阳能电池的转换效率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。

1、 具体的制造工艺技术说明如下：

（1） 切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。

（2） 清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。

（3） 制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。

（4） 磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。

（5） 周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。

（6） 去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结。

（7） 制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。

（8） 制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。

（9） 烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。

（10）测试分档：按规定参数规范，测试分类。

由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制造要求，这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。

（五）、太阳能电池的芯片尺寸：

规模化生产太阳能电池的芯片尺寸分别为（103×103）mm2、（125×125）mm2、（156×156） mm2和（210×210）mm2的方片。目前的主流仍是（156×156）mm2，2007年将过渡到（210×210）mm2为主流芯片。近德国已推出了代表的（210×210）mm2硅片全自动生产设备。

芯片的厚度也愈来愈薄，从→300→ 270→ 240 →210 →180 um，目前晶体硅片主要使用厚度为210—240um。

（六）、太阳能电池的芯片材料及转换效率：

1、 晶体硅（单晶硅和多晶硅）太阳能电池：

2004年晶体硅太阳能电池占总量的84.6 ％，生产技术成熟，是光伏产业的主导产品。在光伏产业中占据着统治地位。

对于高效单晶硅太阳能电池，公认澳大利亚新南威尔士大学达到了转换效率为24.7％，目前世界技术先进产品转换效率为19－20 ％。对于多晶硅太阳能电池澳大利亚新南威尔士大学多晶硅电池效率已突破19.8％，技术先进产品的效率为15－18 ％。

2、 非晶体硅太阳能电池：

α－Si（非晶硅）太阳能电池一般采用高频辉光使硅烷分解沉积而成。由于分解温度低（250－500 0C），可在薄玻璃、陶瓷、不锈钢和塑料底片上沉积1um厚的薄膜，且易于大面积化。非晶硅太阳能电池多数采用PIN结构，有时还制成多层叠层式结构。

非晶硅太阳能电池大量生产的大面积产品的转换效率为10－12 ％，小面积产品转换效率已提高到14.6％，叠层结构电池的效率为21 ％。

3、 （GaAs）太阳能电池：

GaAs太阳能电池多数采用液相外延法或MOCVD技术制备，GaAs太阳能电池的效率可高达29.5％，一般在19.5％左右。产品具有耐高温和抗辐射特点，但生产成本较高，产量受限，主要用作空间电源。以硅片为衬底，拥MOCVD方法制造GaAs /Si异质结太阳能电池是降低成本很有希望的方法，效率23.3 ％，GaAs 叠层结构的太阳能电池效率接近40 ％。

4、 其他化合物半导体太阳能电池：

这方面主要有CIS （铜铟硒）薄膜、CdTe ()薄膜和InP(磷化铟) 太阳能电池等。这些太阳能电池的结构与非晶硅电池相似。但CIS薄膜一般厚度为2－3um，已达到的转换效率为17.7 ％。CdTe薄膜很适合于制作太阳能电池。其理论转换效率达30 ％，目前先进水平转换效率为15.8 ％，多用于空间方面。2004年世界各种太阳能电池产量的种类分布如表2

表2 2004年世界各种太阳能电池产量的种类分布

序号 太阳能电池种类 总产量（MW） 百分比（ ％ ）

1 单晶硅平板电池 314.4 28.6

2 多晶硅平板电池 669.2 56.0

3 非晶硅（室内室外） 47.1 3.9

4 带硅电池 41..0 3.4

5 CdTea（）电池 13.0 1.1

6 CIS (铜铟硒) 3.0 0.25

7 非晶硅/单晶硅电池 80.0 6.7

总量 1195.2 100

（七）、提高太阳能电池效率的特殊技术：

晶体硅太阳能电池的理论效率为25％（AMO1.0光谱条件下）。太阳能电池的理论效率与入射光能转变成电流之前的各种可能损耗的因素有关。其中，有些因素由太阳能电池的基本物理决定的，有些则与材料和工艺相关。从提高太阳能电池效率的原理上讲，应从以下几方面着手：

1、 减少太阳能电池薄膜光反射的损失

2、 降低PN结的正向电池（俗称太阳能电池暗电流）

3、 PN结的空间电荷区宽度减少，幷减少空间电荷区的复合中心。

4、 提高硅晶体中少数载流子寿命，即减少重金属杂质含量和其他可作为复合中心的杂质，晶体结构缺陷等。

5、 当采取太阳能电池硅晶体各区厚度和其他结构参数。

目前提高太阳能电池效率的主要措施如下，而各项措施的采用往往出相应的新的工艺技术。

（1） 选择长载流子寿命的高性能衬底硅晶体。

（2） 太阳能电池芯片表面制造绒面或倒金字塔多坑表面结构。电池芯片背面制作背面镜，以降低表面反射和构成良好的隔光机制。

（3） 合理设计发射结结构，以收集尽可能多的光生载流子。

（4） 采用高性能表面钝化膜，以降低表面复合速率。

（5） 采用深结结构，幷在金属接触处加强钝化。

（6） 合理的电极接触设计以达到低串联电阻等。

（八）、太阳能电池的产业链

（九）、上海太阳能电池产业概况：

上海对于光电转换器件的研究起步于1959年。当时在中科院技术物理研究所和上海科技大学等单位作为光电探测器件课题进行研究。上世纪八十年代，上海仪表局所属的上海半导体器件八厂等单位生产小功率的兰硅光电池在市场上销售。八十年代后期，受世界太阳能电池产业迅速发展的影响，上海开始建立专业的太阳能电池芯片生产企业和专业的研究机构。近10年多来，随着我国太阳能电池“热潮”的到来，制造太阳能电池组件的企业纷纷建立，而且随着单晶硅和多晶硅材料供应紧张，许多小型的硅单晶企业也蜂涌而至。从上世纪九十年代以来，上海的太阳能电池产业逐步形成规模。

目前，上海地区从事太阳能电池芯片、组件、硅材料和设备生产和技术研究的单位共20余个。

其中，太阳能电池芯片制造的主要企业有上海太阳能科技有限公司、上海泰阳公司等。2006年中芯（上海）公司Fab 10建成投产，利用8英寸硅单晶硅片制造太阳能电池芯片，开创了上海利用8英寸多晶硅片制造太阳能电池的新范例。目前，上海太阳能电池芯片的产量在30－40MW左右。上海太阳能电池组件的生产企业共有10个左右。主要企业仍有上海太阳能科技有限公司和上海泰阳公司（与上海交通大学合作）等。目前上海太阳能电池组件的产量为50－70 MW左右。由于太阳能电池组件生产技术及设备要求较为简单，因此，太阳能电池组件生产企业中，有多家为民营企业。由于国内太阳能电池芯片供应不足，这些企业往往采用进口芯片组装后绝大部分返销境外，仅少数投放国内市场。

近几年来，由于可提供太阳能电池芯片生产的硅单晶片和硅多晶硅片严重短缺，价格不断大幅度上升，例如2003年进口电子级多晶硅每公斤为22－25美元，而2006年进口同样多晶硅的价格上升200％至300％，有些经销商转手倒卖时，价格甚至抬高5至8倍。在这种情况下，许多中小型的硅单晶生产企业蜂涌而至。从上世纪九十年代以来，在上海及周边地区建立中小型太阳能电池硅单晶（或硅多晶）的生产企业达4至5个之多。上海通用硅有限公司和上海卡姆丹克公司（合资企业）是其中有代表性的企业。它们各具有许多直拉单晶炉，可以拉制5.5〃，6〃，6.5〃和8〃直径的硅单晶，形成了可供年产25——30MW太阳能电池芯片的市场。但是由于多晶硅原材料供应不足，这些企业拉制的硅单晶原材料只能供给生产20MW太阳能电池芯片所用。因此，硅材料缺乏已成为抑制上海（乃至全国）太阳能电池产业封装的瓶颈。因此，通过上海与外省市的合作发展多晶硅产业已是涉及到微电子产业和太阳能电池产业的战略问题。

（十）中芯（上海）的经验：

中芯（上海）为国内集成电路（或半导体器件）芯片制造企业开展太阳能电池芯片或组件生产走出了一条成功之路，从中芯（上海）Fab10投产的实践来看，证明了以下事实，即集成电路（或半导体器件）芯片制造企业太阳能电池芯片具有许多有利条件：

● 基本工艺相同；

● 废旧硅圆片可充分利用，有利于降造成本；

● 生产线设备基本上可用进口设备或国产设备节省投资；

● 太阳能电池芯片制造若延伸至组件制造，更有利于企业获得较好效益。

但由于集成电路（或半导体器件）芯片制造企业的可利用的单晶硅片数量有限，因此当太阳能电池芯片生产规模扩大时必须考虑其他晶体硅的来源