具有雪崩能力的器件有_具有雪崩能力的器件有哪些

半导体雪崩光电二极管的雪崩二极管的发明

1965年，K.M.约翰逊及L.K.安德森等分别了在微波频率下仍然具有相当高光电流增益的、均匀击穿的半导体雪崩光电二极管。从此，雪崩光电二极管作为一种新型、高速、灵敏的固态光电探测器件渐渐受到重视。

具有雪崩能力的器件有_具有雪崩能力的器件有哪些

讲述雪崩二极管.肖特基光电二极管.光电二极管的特点。

雪崩二极管，是利用了二极管的反向击穿特性，一般是起到稳压的作用。肖特基二极管，是金属PN节，恢复时间短，频率高，正向压降低，适合高频低压工作。 光电二极管的，就是电能转变为光能，是发光管，也有接受光线的而变化的二极管

雪崩二极管：

雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快

光电二极管：普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。

肖特基光电二极管~？？这个不清楚 ，我知道消极特二极管：低功耗、大电流、超高速。

你说的雪崩二极管是不是想说雪崩光电二极管？

雪崩渡越时间二极管振荡器是什么?

雪崩二极管，亦称为“碰撞雪崩渡越时间二极管”。是一种在外加电压作用下可以产生超高频振荡的半导体二极管。1958年由美国W.T.里德提出，所以又称里德二极管。这类二极管有各种结构：里德结构(即P NIN )、肖特基结构(M-N-N )高-低-高结构(H-L-H)、双漂移结构（DDR或P PNN ）等。所用材料主要有硅和。除了PN结雪崩渡越二极管外，由于其工作机理的别，还有俘获等离子体雪崩触发渡越时间二极管，金属-半导体-金属势垒渡越二极管，隧道雪崩渡越二极管等。 雪崩二极管的工作原理是：利用p－n结的雪崩击穿在半导体中注入载流子，这些载流子渡越过晶片流向外电路。由于这一渡越需要一定的时间，因而使电流相对于电压出现一个时间延迟，适当控制渡越时间，在电流和电压的关系上会出现负阻效应，因而能够产生振荡。 雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。雪崩渡越二极管及其功率源可达到极高的工作频率，从几百兆赫至300吉赫都可以获得一定的微波功率。特别在毫米波波段，它是现代功率的固体器件，可连续波工作或脉冲工作，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。。其缺点是噪声比电子转移器件稍高。用雪崩渡越二极管制成的雪崩振荡器和锁定放大器用于微波通信、雷达、战术。 微波振荡器是在通信、雷达、电子对抗及测试仪器等各种微波系统中被广泛应用的重要部件之一。近年来，随着微波半导体器件的迅速发展，微波固态振荡器也得到迅速发展。 目前已有晶体管振荡器（包括双极晶体管振荡器和场效应管振荡器）、转移电子振荡器（体效应振荡器）、雪崩二极管振荡器和隧道二极管振荡器等多种形式。其中隧道二极管振荡器因输出功率小、稳定性几乎被淘汰。体效应振荡器和雪崩二极管振荡器发展极为迅速。如雪崩二极管振荡器振荡频率可高达几百吉赫以上；输出功率可达几十瓦以上；脉冲峰值功率，如限累二极管振荡器可高达几千瓦；微波三极管振荡器的效率，可达50%。各种微波固态振荡器各有不同的特点，可根据要求来选用。在毫米波频段，广泛采用雪崩管振荡器和耿氏管振荡器，与耿氏管相比雪崩管可获得更大的功率和更高的效率。 雪崩二极管的雪崩倍增效应和渡越时间效应使得它具有负阻特性，其小信号阻抗ZD为： 式中RD、XD为雪崩管电阻和电抗； Cd、θ为漂移区电容和渡越角； La、Ca是雪崩区电感和电容； ωa是雪崩频率。 为了产生振荡，二极管的小信号电阻必须为负，而且其应大于负载电阻。当工作频率ω给定时，这一条件可以通过调节偏流密度从而改变雪崩频率来满足。随着振荡幅度I的增加，由于空间电荷对电场的影响，二极管阻抗发生变化，它是振幅和频率的函数，但由于它通常是频率的慢变化函数，所以在振荡器工作频率范围内，可不考虑频率的影响。当器件阻抗与电路阻抗满足以下条件，振荡器处于稳定振荡状态。 式中Z(ω)为电路阻抗； ZD(I)为雪崩管阻抗； 如果由于外界改变使振荡器的电抗发生变化，为了满足相位平衡，在谐振条件下，由外界因素引起的电抗的变化应该由频率变化所产生的电抗变化来补偿，假定外界的变化为Δα，则 式中R、X为电路电阻和电抗； 由此可见，回路电抗随外界因素变化率越大，频率稳定度越；回路的有载品质因数越高，则频率稳定度越高。 一般来说，雪崩管振荡器的缺点是频率稳定度较。

请教气体放电二极管和雪崩二极管、TVS的区别？

看你问的几个问题就知道你想了解保护二极管的区别以及应用针对性。

首先气体放电二极管主要针对瞬间比较大的电流，可以用于防止信号回路中随机出现的高压冲击。而雪崩二极管和TVS(Transient

Voltage

Suppresser瞬态电压抑制器)主要用于ESD（Electrostaics

Discharge，静电放电）防护，电流相对较小，持续时间很短。

以下是这些器件的一下工艺说明：

陶瓷气体放电管是在放电间隙内充入适当的惰性气体介质。配以高活性的电子发射材料及放电引燃机构，通过贵金属焊料高温封接而成的一种特殊的金属陶瓷结构的气体放电器件。它可用于瞬间过电压防浪涌，也可用作点火。其高阻抗、低极间电容和高耐冲击电流是其它放电管所不具备的。当线路有瞬时过电压窜入时，放电管被击穿，阻抗迅速下降，几乎是短路状态。放电管将大电流通过线路接地或回路泄放，也将电压限制在低电位，从而保护了线路及设备。当过电压浪涌消失后，又迅速的恢复到≥109的高阻状态，保证线路的正常工作

雪崩二极管就是利用二极管反向击穿的雪崩效应。

TVS(Transient

Voltage

Suppresser瞬态电压抑制器)二极管等ESD保护器是近几年发展起来的一种固态二极管,专门用于ESD保护.TVS二极管是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁.由于TVS二极管的结面积较大,使得它具有泄放瞬态大电流的优点,具有理想的保护作用.

改进后的TVS二极管还具有适应低压电路(<5

V)的特点,且封装集成度高,适用于在印制电路板面积紧张的情况下使用.很低的箝位电压,经过多次ESD过程后不会劣化.这些特点决定了它有广泛的适用范围.

雪崩二极管原理是什么

雪崩二极管（alanchediode）是一种电子器件，它通过雪崩效应运作。雪崩效应是指在二极管中，电压增加到一定程度时，会导致小的整流电流增加，进而导致电压继续增加，终导致大量的整流电流流过。这种现象类似于雪崩，因此称为雪崩效应。雪崩二极管由于其快速响应和高电压承受能力，常用于高压、高电流和高频应用中。

什么是雪崩二极管

这类二极管就是通常所说的稳压二极管，这种二极管当施加在其两端反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增加很多，这个电压为反向电击穿。

雪崩二极管和齐纳二极管实际就是通常说的稳压二极管

常用的稳压二极管就是雪崩二极管还有

光电二极管

今天在《百度〉搜索网站输入关键词〈雪崩二极管〉搜到了许多关于雪崩二极管的内容，请上网搜一搜。你的问题就会得到满意的答案。

qizhan

借光楼主，我对这个问题也不明白，请问liuking123：

雪崩二极管和齐纳二极管有什么区别？

雪崩二极管用在什么地方？

稳压二极管应该是齐纳二极管；

如蒙解释，万分感谢！

非常感谢楼上的耐心解释；

我是搞电子技术应用的，我好奇怪，还有我不知道的二极管？

通过您的解释才想起，是楼主的问题不对；

没有雪崩二极管，二极管的雪崩击穿是不可恢复的，是破坏性的；

只有二极管的反向电压超过它的耐压值，才会发生雪崩击穿。

雪崩击穿是指pn结内做漂移运动的少子受强电场的加速作用获得很大的动能，当它与结内原子碰撞时，把其中的电子撞出来，产生新的电子空穴对，新产生的电子空穴对在电场的作用下，又去撞击其他的原子，这样下去，就像雪崩一样．这种情况一般发生在掺杂浓度较低，外加电压较大的情况下

齐纳击穿是由于PN结中掺杂浓度高，形成的PN结很窄，即使是电压很低（5v一下）的情况下，结内电场也非常强，它可以把结内电子从共价键中拉出来引起反向电流的剧增

我这答案不采纳，可就伤我心了啊！！！各位

雪崩光电二极管的工作原理

雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构（即N+PIP+型结构，P+一面接收光），工作时加较大的反向偏压，使得其达到雪崩倍增状态；它的光吸收区与倍增区基本一致（是存在有高电场的P区和I区）。

谁能帮忙解释一下齐纳管，雪崩二极管哈

齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。齐纳二极管不同于锗二极管的是：如果反向电压，有时简称为“偏压”增加到某个特殊值，对于一个微小偏压的变化，就会使电生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5．8－6．5V之间，极大电流是30mA。 雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管.雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中