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半导体激光器为什么采用gaas

MOCVD过程中的关键参数包括反应温度、压力和气体流量等，这些GaAs是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。可作半导体材料，其电子迁移率高、介电常数小，能引入深能级杂质、电子有效质量小，能带结构特殊，可作外延片。参数对于控制薄膜的生长速率、组分均匀性和晶体质量至关重要。

IC的外壳是什么材料的

B、砷和镓位于同一周期，根据元素周期律可知电负性：As＞Ga，故B正确；

3、GaAs，最广泛采用的二代半导体（3）氮化铝晶体与金刚石类似，均是正四面体结构，每个铝原子与4个氮原子相连，是由原子构成的原子晶体，故为：4；原子；，主要用于射频领域，包括射频件和射频功率器件；

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GaAs与(CH3)Ga的晶体类型相同吗？

故为：bcd．

（3）SiCGaAs和(CH3)Ga的晶体类型是不同的。

GaAs的晶体结构是闪锌矿型，即采用纤锌矿结构；具体结构为六方密堆积晶体结构（简记为HCP）。在这种结构中，每一个镓离子都被四个砷离子和四个镓离子所包围。该晶体的合金化特性可通过在GaAs单晶中杂质掺杂实现。

而(CH3)Ga是金属有机化合物，分子式为Ga(CH3)3。它属于镓的有机衍生物，没有固定的晶体结构，而是呈现出液态或气态的形态。这种化合物常用于MOCVD（金属有机气相沉积）中用作半导体材料的外延沉积源。

因此，GaAs和(CH3)Ga的晶体类型是不同的，GaAs是一种固态晶体，而(CH3)Ga是一种金属有机化合物。

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因为GaAs是直接带隙半导体材料。直接带隙半导体重要性质如下：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变——满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合）时，也可以保持动量不变——直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子）——发光效率高（这也就是为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作的根本原因）。

单晶硅棒2600元/公斤,多晶硅棒2400元/公斤

你1、硅，这是目前最主要的集成电路材料，绝大部分的IC是采用这种材料制成；的提问太笼统了,你说的规格是尺寸、功率、还是材料

目前市售LED晶片，材质基本以GaAs（）为主．已知镓、砷分别是铝、磷同主族下一周期的元素．

故为：1s22s22p63d104s24p1；

（2）根据“均摊法”：白色球个数为6×12+8×18）=4．由晶胞图可知与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为正四面体，故为：4；正四面体；

故为：NH3＞AsH3＞PH3；

（4）AsH3中砷原子有3对成键电子对且1个孤电子对，所以D试题分析： 根据元素周期表所提供的信息可知，A．原子的核电荷数是31是正确的叙述 ；B．元素符号是Ga是正确的叙述；C．属于金属元素是正确的叙述D．相对原子质量为69.72g 是错误的叙述，相对原子质量的单位为1，故选择D它的杂化方式为sp3；由于Ga原子周围只有3对成键电子对，故其杂化方法为sp2，故为：sp3，sp2；

（6）a．NaCl晶体4、半导体材料具有化学传感器特性。半导体材料可以与周围环境中的气体、离子等发生化学反应，从而改变材料的电阻值。这种化学传感器特性使得半导体在环境监测、医疗诊断等领域具有广泛的应用。中阴阳离子的配位数为6，而晶胞中中阴阳离子的配位数为8，二者晶体结构不同，故a错误；

b．根据等电子体的概念可知二者价电子数相等，属于等电子体，故b正确；

d．由于Ga原子最外层只有3个电子，而每个Ga原子与4个As原子成键，因此其中一个共价键必为配位键，故d正确．

Al和Ga及N和As分别是同主族的元素，请回答下列问题：（1）是一种半导体材料，其化学式为______．（

（1）镓位于周期表中第四周期第IIIA，故其核外电子排布式为1s22s22p63（3）由于NH3分子间存在氢键，所以NH3的沸点，由于AsH3的相对分子质量大于PH3，故AsH3的沸点高于PH3，d104s24p1或[Ar]3d104s24p1，

（2）根据基态电子排布规律，As原子的基态电子排布式为：1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 6 3d 10 4s 2 4p 3 ，故为：1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 6 3d 10 4s 2 4p 3 ；

是怎么合成的？

（5）As和Ga处于同一周期，而处于VA的As外围电子处于半满的较稳定结构，故As的电离能大于Ga，

的合成通常采用金属有机化学气相沉积（Metalorganic Chemical Vapor Deition，简称MOCVD）或分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）等技术。

在MOCVD中，通常使用镓（trimylgallium，TMGa）和砷（trimylarsenic，TMAs）作为前体材料。这些前体材料被蒸发到高温反应室中，并与载气（通常是氢气）混合。在高温条件下，前体材料分解并释放出镓和砷原子，然后在衬底表面上重新结晶形成薄膜。

另一种常用的方法是分子束外延（MBE），它在超高真空条件下进行。在MBE中，分子束源产生高能量的分子束，分别由和砷分子组成。这些分子束被导入到衬底表面，通无论是MOCVD还是MBE，控制反应条件和衬底表面的处理对于获得高质量的薄膜和晶体结构非常重要。过表面扩散和化学反应，使镓和砷原子重新排列并沉积在衬底上形成晶体。

MBE对于控制的厚度、组分和晶体结构具有非常高的度，因此在研究和制备高质量的材料和器件方面得到广泛应用。

目前大量的照明材料或屏幕都使用了发光二极管（LED）．市售LED晶片，材质基本以GaAs（）、AlGaInP

（1）镓的原子序数为31，位于周期表中第四周期第IIIA，故其核外价电子的电子c．周期表同周期元素从左到右元素的电负性逐渐增大，则As＞Ga，故c正确；排布式为：4s24p1，因为砷的价层电子对数为5+32=4，所以砷原子按sp3方式进行杂化，故为：4s24p1； sp3；

（2）根据“均摊法”：白色球个数为6×12+8×18=4．由晶胞图可知与同一个镓原子相连的砷原子构成的空间构型为正四面体，与顶点砷原子紧邻的等距砷原子分布在晶胞的面心上，一个顶点连有12个面，所以与顶点等距离紧邻的砷也有12个，故为：4；正四面体；12；

C、磷原子半径小于砷，所以Ga-P键的键能大于Ga-As键的键能，所以前者熔点高，故C正确；

D、由于Ga原子最外层只有3个电子，而每个Ga原子与4个As原子成键，因此其中一个共价键必为配位键，故D正确；

（4）设晶胞的边长为apm，根据均摊法可知，每个晶胞中含有砷原子数为6×12+8×18=4，含有镓原子数为4，所以有ρ＝4MNAa3，则a=34MNAρ，

根据晶胞的结构可知，晶胞的面对角线长度应为两个砷原子直径故选BCD；的长度之和，即砷原子半径为晶胞面对角线的14，故砷原子半径为2a4=24?34MNA?ρpm，

故为：